Di holên bêdeng ên laboratuarên kalibrkirinê, odeyên paqij ên nîvconductor û odeyên metrolojiya fezayî de, şoreşek bêdeng di rê de ye. Ew ne tenê ji hêla nermalav an sensoran ve tê rêvebirin - lê ji hêla materyalên ku bingeha pîvandinê bi xwe pêk tînin ve. Di pêşengiya vê guhertinê de amûrên pîvandinê yên seramîk ên pêşkeftî hene, di nav de rêzika rasterast a hewayê ya seramîk a ultra-stabîl û paralelepiped û çargoşe ya silicon-karbîd (Si-SiC) ya rastbûna bilind a hişk. Ev ne tenê amûr in; ew rê li ber serdemek nû vedikin ku tê de aramî, dubarekirin û bêalîbûna germî ne muzakere ne.
Zêdetirî nîv sedsalek e, granîta reş di metrolojiya rastîn de serdest bû. Şilbûna wê ya xwezayî, berfirehbûna germî ya kêm, û şilbûna wê ya hêja ew kir materyalê sereke ji bo plakayên rûvî, çargoşe û qiraxên rast. Lêbelê, her ku pîşesazî ber bi toleransên di asta sub-mîkron û tewra nanometre de ve diçin - nemaze di lîtografiya nîvconductor, optîka fezayê, û hesabkirina kuantumê de - sînorkirinên granîtê her ku diçe eşkere dibin. Ew giran e, di bin têkiliya dubare de ji mîkro-çîpkirinê re hesas e, û, tevî navûdengê xwe, hîn jî di bin bar an guherîna jîngehê de diherike û demdirêj a piçûk nîşan dide.
Seramîkên endezyarî werin: ne seramîkên şikestî yên xeyala rojane, lê materyalên tîr, homojen û performansa bilind ên ku di bin germ û zexta zêde de hatine çêkirin. Di nav van de, du çîn ji bo sepanên metrolojiyê derdikevin pêş: alumînaya paqijiya bilind (Al₂O₃) û karbîda silîkonê ya bi reaksiyonê ve girêdayî (Si-SiC). Her çend her du jî li gorî materyalên kevneşopî pêşkeftinên berbiçav pêşkêş dikin jî, ew rolên cihêreng dilîzin - û bi hev re, ew pêşengiya tiştê ku di metrolojiya dimenî de gengaz e temsîl dikin.
Mînakî, rêza rasterast a hewayî ya seramîk bigirin. Ev amûr ji bo karanîna bi qonaxên hewa-hilgir an interferometreyên optîkî ve hatî çêkirin, rastbûnek hema hema bêkêmasî, girseya herî kêm, û lehiya germî ya sifir dixwaze. Li ser bingeha alumînayê ye.rêzikên seramîk—bi makîneyê di nav ±0.5 µm de li ser 500 mm heta rastbûn û zeliqandina rûyê hatiye çêkirin û heta ku xavbûna rûyê li jêr Ra 0.02 µm be hatiye cilandin—tam vê yekê peyda dikin. Densiteya wan a nizm (~3.6 g/cm³) bêçalaktiyê di pergalên pîvandina dînamîk de kêm dike, di heman demê de xwezaya wan a ne-manyetîk û ne-guhêzbar destwerdana di hawîrdorên hesas ên elektronîkî an manyetîk de ji holê radike. Di amûrên vekolîna wafer an jî sazkirinên kalibrkirina şopînerên lazer de, ku heta mîkronek kevanê jî dikare encaman çewt bike, rêzika rasterast a hewaya seramîk referansek sabît û bêçalak peyda dike ku di nav guheztinên germahiyê û çerxên xebitandinê de rast dimîne.
Lê gava ku hişkbûn û îhtîmala germî ya herî dawî hewce be - wekî di rêzkirina neynika teleskopên fezayî de an jî metrolojiya valahîya lazerê ya bi hêza bilind - endezyar berê xwe didin pêkhateyên paralelîpedî û çargoşeyî yên silîkon-karbîd (Si-SiC) yên rastbûna bilind. Si-SiC di nav materyalên herî hişk ên naskirî de ye, bi modula Young a ku ji 400 GPa derbas dibe - ji sê qatan zêdetir ji pola - û îhtîmala îhtîmalê ya ku reqabetê aluminiumê dike. Ya girîng, katsayiya wê ya berfirehbûna germî (CTE) dikare were endezyar kirin da ku bi ya cama optîkî an waferên silîkonê re li hev bike, ku berfirehbûna cûdahiya nêzîkî sifir di kombûnên hîbrîd de gengaz dike. Çargoşeyek Si-SiC ku wekî referansek sereke di amûrek lîtografiya EUV de tê bikar anîn dê ne tenê forma xwe bigire - ew ê bi awayekî çalak li hember xirabûna ji germkirina herêmî an lerizînê li ber xwe bide.
Tiştê ku van destkeftiyan gengaz dike ne tenê materyal e, lê di heman demê de serweriya çêkirina amûrên pîvandinê yên seramîk e. Mînakî, makîneya rastîn a Si-SiC hewceyê tekerên hêrandina elmasê, platformên CNC yên sub-mîkron, û pêvajoyên lapping ên pir-qonaxî ye ku di hawîrdorên bi germahî kontrolkirî de têne kirin. Heta stresa mayî ya piçûk ji sinterkirina nerast jî dikare bibe sedema şemitîna piştî makîneyê. Ji ber vê yekê tenê çend hilberînerên gerdûnî yên bijartî senteza materyalê, çêkirina rastîn, û metrolojiya dawîn di bin yek banî de entegre dikin - kapasîteyek ku hilberînerên rastîn ên pola metrolojiyê ji dabînkerên seramîkê yên giştî vediqetîne.
Li ZHONGHUI INTELLIGENT MANUFACTURING (JINAN) GROUP CO., LTD (ZHHIMG), ev entegrasyona vertîkal ji bo mîsyona me navendî ye. Amûrên me yên pîvandina seramîk - tevî modelên seramîk ên rasterast ên hewayî yên ku ji bo DIN 874 Grade AA hatine pejirandin û artefaktên paralelîpîped û çargoşe yên silicon-karbîd (Si-Si-C) yên rastbûna bilind ên ku li gorî standardên PTB û NIST têne şopandin - di odeyên paqij ên ISO Class 7 de bi karanîna protokolên sinterkirin û qedandinê yên taybet têne hilberandin. Her pêkhate berî barkirinê pejirandina interferometrîk a tevahî, verastkirina CMM ya toleransên geometrîk (rûtbûn, paralelîzm, perpendîkularî), û ceribandina yekparebûna rûyê derbas dibe. Encam artefaktek pola referansê ye ku ne tenê li gorî taybetmendiyan e - ew di seranserê koman de bi domdarî ji wan derbas dibe.
Daxwaza ji bo performansek wisa zêde dibe. Di çêkirina nîvconductoran de, pergalên lîtografiya EUV û NA-ya bilind hewceyê avahiyên hevrêzkirinê ne ku di nav deh nanometreyan de li ser dûrên pîvana metreyê stabîl in - bêyî sinerjiya termal-mekanîkî ya Si-SiC ne mumkin e. Di fezayê de, kursiyên optîkî yên satelîtê yên ku bi referansên seramîk têne çêkirin, tevî çerxên germî yên tund, stabîlîteya li ser orbîtê misoger dikin. Tewra di warên nû de wekî tespîtkirina pêlên gravîtasyonê an pêşkeftina demjimêra atomî, ku stabîlîteya asta pîkometerê girîng e, artefaktên metrolojiya seramîk û Si-SiC dibin pêdivî.
Girîng e ku ev amûr domdarî û lêçûna giştî ya xwedîtiyê jî çareser dikin. Her çend veberhênana destpêkê di paralelepipedek silicon-karbîd a rastbûna bilind de ji ya hevwateya granit derbas bibe jî, temenê karûbarê wê dikare 5-10 caran dirêjtir be di jîngehên karanîna zêde de. Pêdivî bi rûnkirinê tune ye, li hember hemî çareserker û plazmayên hevpar berxwe dide, û ji ber vegirtina şilbûnê qet hewceyê ji nû ve kalibrasyonê nîne - berevajî hesinê avêtinê an jî hin granît. Ji bo rêveberên kalîteyê yên ku di bin standardên AS9100, ISO 13485, an SEMI de dixebitin, ev pêbawerî rasterast vediguhere kêmkirina dema bêhnvedanê, kêmtir dîtinên denetimê, û baweriya xerîdar a mezintir.
Herwiha, divê zerafeta estetîk û fonksiyonel a van amûran neyê paşguhkirin. Çargoşeyek Si-SiC ya polîşkirî bi şewqek metalîk dibiriqe lê ji pola kêmtir giran e. Rêzek hewayî ya rasterast a seramîk hişk hîs dike lê bi hêsanî radibe - îdeal ji bo verastkirina destan di cîhên teng de. Ev taybetmendiyên mirov-navendî di laboratuarên cîhana rastîn de girîng in ku ergonomîk û rehetiya karanînê bandorê li ser herikîna karê rojane dikin.
Ji ber vê yekê, gelo amûrên pîvandinê yên seramîk rastbûna ultra-bilind ji nû ve pênase dikin? Bersiv di daneyan de ye - û di navnîşa mezinbûyî ya rêberên gerdûnî de ku naha wan wekî standard destnîşan dikin. Ji enstîtuyên metrolojiya neteweyî yên ku standardên dirêjahiya nifşê pêşerojê piştrast dikin bigire heya dabînkerên Asta 1-ê yên ku pêkhateyên ajotina EV-ê piştrast dikin, guhertin eşkere ye: dema ku divê nezelalî were kêmkirin, endezyar baweriya xwe bi seramîkên endezyarî tînin.
Û her ku pîşesazî meşa xwe ya bênavber ber bi kontrola asta atomî ve didomînin, rastiyek nayê înkarkirin: pêşeroja pîvandinê dê ne ji kevir were kolandin an jî di metal de neyê avêtin. Ew ê di seramîk û karbîda silîkonê de were sinterkirin, hûrkirin û cilandin.
ZHONGHUI INTELLIGENT MANUFACTURING (JINAN) GROUP CO., LTD (ZHHIMG) di çareseriyên metrolojiya seramîk û silicon-karbîd ên pir-rast de înnovasyonkarek cîhanî ye ku tê nasîn. ZHHIMG, ku di amûrên pîvandina seramîk, rêzika hewayî ya rasterast a seramîk û pêkhateyên paralelepiped û çargoşe yên silicon-karbîd (Si-SiC) yên rastbûna bilind de pispor e, berhemên bi tevahî pejirandî û asta laboratîfê ji bo sepanên nîvconductor, hewavanî, parastin û lêkolînên zanistî peyda dike. Bi piştgiriya sertîfîkayên ISO 9001, ISO 14001 û CE, hilberên me ji hêla pargîdaniyên teknolojiyê yên pêşeng ên cîhanê ve têne bawer kirin. Portfoliyoya me ya metrolojiya pêşkeftî liwww.zhhimg.com.
Dema şandinê: Kanûn-05-2025