♦Alumina(Al2O3)
Parçeyên seramîk ên rastîn ên ku ji hêla ZhongHui Intelligent Manufacturing Group (ZHHIMG) ve têne hilberandin, dikarin ji madeyên xav ên seramîk ên paqij-paqij, 92 ~ 97% alumina, 99,5% alumina, > 99,9% alumina, û zexta îsostatî ya sar CIP bêne çêkirin.Sînterkirina germahiya bilind û makînekirina rast, rastbûna pîvanê ± 0.001 mm, nermbûn heya Ra0.1, germahiya heya 1600 pileyî bikar bînin.Rengên cûda yên seramîk dikarin li gorî hewcedariyên xerîdar werin çêkirin, wek: reş, spî, bej, sorê tarî, hwd. ji bo demek dirêj di germahiya bilind, valahiya û hawîrdora gaza korozîf de tê bikar anîn.
Bi berfirehî di cûrbecûr alavên hilberîna nîvconductor de têne bikar anîn: Çarçove (benda seramîk), Substrate (bingeh), Arm / Pira (manipulator), Pêkhateyên Mekanîkî û Hilgirtina Hewayê ya Seramîk.
| Navê hilberê | Paqijiya Bilind 99 Alumina Seramîk Tube Square / Pipe / Rod | |||||
| Naverok | Yekbûn | 85 % Al2O3 | 95 % Al2O3 | 99 % Al2O3 | 99,5 % Al2O3 | |
| Density | g/cm3 | 3.3 | 3.65 | 3.8 | 3.9 | |
| Absorption | % | <0.1 | <0.1 | 0 | 0 | |
| Germahiya Sintered | ℃ | 1620 | 1650 | 1800 | 1800 | |
| Hardness | Mohs | 7 | 9 | 9 | 9 | |
| Hêza Berbendê (20℃)) | Mpa | 200 | 300 | 340 | 360 | |
| Hêza Pêkêşî | Kgf/cm2 | 10000 | 25000 | 30000 | 30000 | |
| Germahiya Xebatê ya Dem dirêj | ℃ | 1350 | 1400 | 1600 | 1650 | |
| Max.Germahiya xebatê | ℃ | 1450 | 1600 | 1800 | 1800 | |
| Berxwedana Volume | 20℃ | Ω.cm3 | >1013 | >1013 | >1013 | >1013 |
| 100℃ | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | ||
| 300℃ | >109 | >1010 | >1012 | >1012 | ||
Serîlêdana seramîkên alumina yên paqijiya bilind:
1. Ji bo alavên semiconductor ve tête sepandin: çuka valahiya seramîk, dîska birrîn, dîska paqijkirinê, CHUCK seramîk.
2. Parçeyên veguheztina wafer: çîpên hilgirtina wafer, dîskên qutkirina wafer, dîskên paqijkirina wafer, kûpên şûştinê yên vekolîna optîkî ya wafer.
3. Pîşesaziya pêşandana panelê ya peldankê ya LED / LCD: çîçek seramîk, dîska qirkirina seramîk, PIN LIFT, rêça PIN.
4. Têkiliya optîkî, pîşesaziya rojê: lûleyên seramîk, çîpên seramîk, scraperên seramîk ên çapkirina ekrana panelê.
5. Parçeyên germ-berxwedêr û elektrîkî: bearên seramîk.
Heya nuha, seramîkên oksîdê aluminium dikare li seramîkên paqijiya bilind û seramîkên hevpar were dabeş kirin.Rêzeya seramîkên oksîdê aluminiumê ya paqijiya bilind ji materyalê seramîk ku ji% 99.9 zêdetir Al2O3 tê de vedibêje.Ji ber ku germahiya wê ya hilgirtinê heya 1650 - 1990 ° C û dirêjahiya pêla veguheztinê ya 1 ~ 6 μm, ew bi gelemperî li şûna xaçerêya platîn di şûşeya yekbûyî de tê hilanîn: ku ji ber veguheztina ronahiyê û berxwedana korozyonê dikare wekî lûleya sodyûm were bikar anîn. metal alkali.Di pîşesaziya elektronîkî de, ew dikare wekî materyalê îzolekirinê ya bi frekansa bilind ji bo substratên IC-ê were bikar anîn.Li gorî naverokên cihêreng ên oksîdê aluminiumê, rêzikên seramîk ên oksîdê aluminium-ê yên hevpar dikarin li seramîkên 99, 95 seramîk, 90 seramîk û 85 seramîk werin dabeş kirin.Carinan, seramîkên bi 80% an 75% oksîdê aluminiumê jî wekî rêzikên seramîk ên oksîdê aluminiumê yên hevpar têne dabeş kirin.Di nav wan de, 99 maddeya seramîk a oksîdê aluminiumê ji bo hilberandina tîrêjê germahiya bilind, lûleya firna agirê vegirtinê û materyalên taybetî yên berxwedêr, yên wekî bearên seramîk, morên seramîk û lewheyên valve têne bikar anîn.95 seramîkên aluminiumê bi giranî wekî parçeyek berxwedêr-berxwedêr a korozyonê tê bikar anîn.85 seramîk bi gelemperî di hin taybetmendiyan de tê tevlihev kirin, bi vî rengî performansa elektrîkê û hêza mekanîkî çêtir dike.Ew dikare molybdenum, niobium, tantalum û morên metal ên din bikar bîne, û hin jî wekî amûrên valahiya elektrîkê têne bikar anîn.
| Tişta Kalîteyê (Nirxa Nûnertiyê) | Navê hilberê | AES-12 | AES-11 | AES-11C | AES-11F | AES-22S | AES-23 | AL-31-03 | |
| Pêkhatina Kîmyewî Hilbera Hilberîna Hêsan a Kêm-Sodyûm | H2O | % | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
| Pir ken | % | 0.1 | 0.2 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| Fe₂0₃ | % | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | |
| SiO2 | % | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.02 | 0.04 | 0.04 | |
| Na₂O | % | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.02 | 0.04 | 0.03 | |
| MgO* | % | - | 0.11 | 0.05 | 0.05 | - | - | - | |
| Al₂0₃ | % | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | |
| Diametera Parçeya Navîn (MT-3300, rêbaza analîza lazerê) | μm | 0.44 | 0.43 | 0.39 | 0.47 | 1.1 | 2.2 | 3 | |
| α Mezinahiya Crystal | μm | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0,3 ~ 1,0 | 0.3 ~ 4 | 0.3 ~ 4 | |
| Damezrandina Density** | g/cm³ | 2.22 | 2.22 | 2.2 | 2.17 | 2.35 | 2.57 | 2.56 | |
| Tîrêjiya Sintering** | g/cm³ | 3.88 | 3.93 | 3.94 | 3.93 | 3.88 | 3.77 | 3.22 | |
| Rêjeya Kêmkirina Rêjeya Sintekirinê** | % | 17 | 17 | 18 | 18 | 15 | 12 | 7 | |
* MgO di hesabkirina paqijiya Al2O3 de cih nagire.
* Ne toza pîvandinê 29.4MPa (300kg/cm²), germahiya ziravkirinê 1600°C ye.
AES-11 / 11C / 11F: 0.05 ~ 0.1% MgO lê zêde bikin, tevlihevbûn pir xweş e, ji ber vê yekê ew ji seramîkên oksîdê aluminiumê re bi paqijiya ji 99% zêdetir ve tê sepandin.
AES-22S: Ji hêla danûstendina avakirina bilind û rêjeya kêmbûna kêmbûna xeta sinterkirinê ve tête taybetmend kirin, ew ji bo rijandina forma şemitandinê û hilberên din ên mezin ên bi rastbûna pîvanê ya pêwîst tê sepandin.
AES-23 / AES-31-03: Ew ji AES-22S xwedan dendika damezrandinê, tîxotropî û vîskozîtîyek kêmtir e.ya berê ji bo seramîkê tê bikar anîn lê ya paşîn wekî kêmkerê avê ji bo materyalên agirgirtinê tê bikar anîn û populerbûnê bi dest dixe.
♦ Taybetmendiyên Silicon Carbide (SiC).
| Taybetmendiyên Giştî | Paqijiya pêkhateyên sereke (wt%) | 97 | |
| Reng | Reş | ||
| Density (g/cm³) | 3.1 | ||
| Girtina avê (%) | 0 | ||
| Taybetmendiyên Mekanîk | Hêza Flexural (MPa) | 400 | |
| Modula ciwan (GPa) | 400 | ||
| Serhişkiya Vickers (GPa) | 20 | ||
| Taybetmendiyên Termal | Germahiya xebitandinê ya herî zêde (°C) | 1600 | |
| Rêjeya berfirehbûna termal | RT~500°C | 3.9 | |
| (1/°C x 10-6) | RT~800°C | 4.3 | |
| Germbûna germê (W/m x K) | 130 110 | ||
| Berxwedana şoka termal ΔT (°C) | 300 | ||
| Taybetmendiyên Elektrîkê | Berxwedana Volume | 25°C | 3 x 106 |
| 300°C | - | ||
| 500°C | - | ||
| 800°C | - | ||
| Dielektrîkê berdewam | 10 GHz | - | |
| Windabûna dielektrîkê (x 10-4) | - | ||
| Faktora Q (x 104) | - | ||
| Voltaja têkçûna dîelektrîkê (KV/mm) | - | ||
♦ Silicon Nitride Seramîk
| Mal | Yekbûn | Si₃N4 |
| Rêbaza Sintering | - | Zexta Gazê Sintered |
| Density | g/cm³ | 3.22 |
| Reng | - | Gewrê Tarî |
| Rêjeya Absorption Water | % | 0 |
| Modulusa Ciwan | Gpa | 290 |
| Serhişkiya Vickers | Gpa | 18-20 |
| Hêza Pêkêşî | Mpa | 2200 |
| Bending Strength | Mpa | 650 |
| Têkiliya Termal | W/mK | 25 |
| Berxwedana Şokê Termal | Δ (°C) | 450 - 650 |
| Germahiya xebitandinê ya herî zêde | °C | 1200 |
| Berxwedana Volume | Ω·cm | > 10^14 |
| Dielectric Constant | - | 8.2 |
| Hêza Dielektrîkê | kV/mm | 16 |